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方正微电子成功产出第一片6英寸碳化硅二极管
发布时间:2015.09.19
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    作为第三代半导体材料双雄之一的碳化硅,具有高电场强度、高热导率、宽禁带宽度、高饱和漂移速度优点,广泛应用在微波及高频和短波长器件以及功率半导体领域。

    我司自2014年9月开始与华智科技(国际)有限公司合作开发碳化硅二极管,经前期技术讨论、产品设计、流程测试,历时近一年,2015年9月中旬完成产品测试,第一次流片达到1200V的设计要求,合作成果超越了华智的预期,体现了我司在特种器件上的雄厚的技术储备和强大工艺加工能力,为后续类似的产品开发和量产打下坚实的基础。


大中华区成功生产第一片6吋SiC二极管


    2015年9月15日华智科技CEO谭志明先生专程赶到深圳向开发团队致谢,向方正微电子赠送“大中华区第一片6英寸碳化硅二极管”纪念牌,并商讨进一步深入合作事宜。


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